RAM 레이턴시 (RAM Latency) 계산기

RAM 박스에 적힌 두 숫자는 서로 반대 방향을 가리킵니다. 속도는 전송 횟수를 세는 반면, CAS 레이턴시는 클럭 사이클 수를 세는데, 사이클 하나의 길이는 속도마다 다릅니다. 그래서 전혀 닮지 않은 스펙인 DDR5-6000 CL30과 DDR4-3200 CL16이 똑같이 정확히 10나노초 만에 응답하는 것이며, CAS 수치만으로 키트를 평가하면 새 RAM이 오히려 구형보다 나빠 보이는 이유이기도 합니다. 나노초로 환산하면 DDR4든 DDR5든 모든 키트를 하나의 공정한 기준 위에 놓을 수 있습니다.

계산 원리

CAS 레이턴시(CL)는 컨트롤러가 특정 열(column)의 데이터를 요청한 시점부터 모듈이 데이터를 전달하기 시작할 때까지 지나가는 메모리 클럭 사이클 수입니다. 사이클을 시간으로 바꾸려면 사이클 하나의 길이가 필요한데, 여기서 마케팅 표기가 발목을 잡습니다. DDR은 더블 데이터 레이트, 즉 클럭 한 틱당 두 번 전송한다는 뜻이라서, “6000MHz”로 판매되는 키트는 실제로는 3000MHz 클럭으로 동작하며 정확한 표기는 6000MT/s(초당 메가전송)입니다. 따라서 사이클 하나의 길이는 2000 ÷ 속도(나노초)이며, 공식은 다음과 같습니다: 실제 레이턴시(ns) = CL × 2000 ÷ 속도(MT/s). 대역폭도 같은 스펙에서 나옵니다. 전송 1회당 64비트가 이동하므로 채널당 최대 처리량은 속도 × 8바이트이며, DDR4-3200은 25.6GB/s, DDR5-6000은 48GB/s입니다.

실제 레이턴시로 본 인기 키트

몇 가지 흔한 구성을 공식에 대입해 보았습니다. XMP/EXPO를 적용하기 전 메모리가 기본으로 돌아가는 JEDEC 표준 속도—DDR4-2666 CL19, DDR5-4800 CL40—가 박스에 적힌 숫자는 그럴듯해 보여도 순위에서는 하위권에 머무는 점에 주목하세요.

좋은 레이턴시의 기준은?

10ns 미만은 매니아 등급, 10~11ns는 두 세대 모두에서 가성비가 가장 좋은 키트들이 몰리는 구간이며, 13ns를 넘으면 대개 정격 타이밍이 아니라 대체 프로필인 JEDEC 기본값으로 동작 중이라는 뜻입니다. 다만 두 가지 유의점이 있습니다. 1~2나노초 차이는 체감하기보다는 측정 가능한 수준에 가깝고, 이는 더 긴 여정 중 CAS 구간에 불과하다는 점입니다. CPU 캐시 미스가 발생해 실제로 데이터가 도착하기까지의 전체 과정은 메모리 컨트롤러와 로우 활성화까지 포함하면 50~100ns가 걸립니다. 그러나 나노초 단위의 CAS 값은 구매 시 실제로 선택할 수 있는 부분이자, 키트 간 비교에서 가장 공정한 단일 지표입니다.